পরীক্ষা আর্কাইভ

৪৯তম বিসিএস ⎯ পদার্থবিদ্যা [৫১১]

পরীক্ষা৪৯তম বিসিএস ⎯ পদার্থবিদ্যা [৫১১]তারিখতারিখ অনির্ধারিতসময়30 minutes
মোট প্রশ্ন৫০
সিলেবাস
Exam-14 Solid State Physics (Crystalline Solids and Defects, Semiconductors and Superconductivity) and Electronics (Semiconductor Devices, Communication Systems) [Source: Class‑10 and relevant books]
ঘনত্ব
উত্তর
উত্তরিতবর্তমানপুনরায় দেখুনঅসম্পূর্ণ

৪৯তম বিসিএস ⎯ পদার্থবিদ্যা [৫১১]

৪৯তম বিসিএস ⎯ পদার্থবিদ্যা [৫১১] · তারিখ অনির্ধারিত · ৫০ প্রশ্ন

.
Which property of a metal is not directly determined by its valence electrons? (কোন ধাতব বৈশিষ্ট্য সরাসরি ভ্যালেন্স ইলেকট্রন দ্বারা নির্ধারিত হয় না?)
  1. Metallic lustre (ধাতব দীপ্তি)
  2. ) Thermal conductivity (তাপীয় পরিবাহিতা)
  3. Electrical conductivity (বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা)
  4. Shear modulus (শিয়ার মডুলাস)
ব্যাখ্যা

The shear modulus measures a metal’s resistance to deformation under shear stress and depends on the strength of metallic bonds and crystal structure, not directly on valence electrons. In contrast, electrical and thermal conductivity and metallic lustre are largely influenced by valence electrons, as these electrons are delocalized and free to move, enabling charge and energy transport and reflection of light.

(শিয়ার মডুলাস হলো ধাতুর শিয়ার চাপের অধীনে বিকৃতি প্রতিরোধের ক্ষমতা এবং এটি নির্ভর করে মেটালিক বন্ধনের শক্তি এবং ক্রিস্টাল কাঠামোর উপর, সরাসরি ভ্যালেন্স ইলেকট্রনের উপর নয়। অন্যদিকে, বৈদ্যুতিক ও তাপীয় পরিবাহিতা এবং ধাতব দীপ্তি মূলত ভ্যালেন্স ইলেকট্রন দ্বারা প্রভাবিত, কারণ এই ইলেকট্রনগুলো ডেলোকালাইজড এবং মুক্ত, যা চার্জ ও শক্তি পরিবহন এবং আলো প্রতিফলনে সক্ষম।)

[Source: Materials Science and Engineering – William D. Callister]

.
What does an 'anisotropic' crystal mean in terms of its properties? (একটি অ্যানিসোট্রোপিক ক্রিস্টাল এর বৈশিষ্ট্যগুলি কী বোঝায়?)
  1. Its properties depend on the direction in which they are measured (এর বৈশিষ্ট্যগুলি মাপার দিকের ওপর নির্ভর করে)
  2. Its properties are the same in all directions (এর বৈশিষ্ট্যগুলি সব দিকেই সমান)
  3. The crystal is a perfect electrical insulator (ক্রিস্টালটি সম্পূর্ণ বৈদ্যুতিকভাবে ইনসুলেটর)
  4. The crystal has no long-range order (ক্রিস্টালের দীর্ঘমেয়াদী বিন্যাস নেই)
ব্যাখ্যা

(An anisotropic crystal exhibits different physical properties—such as electrical conductivity, refractive index, or thermal expansion—along different crystallographic directions. This directional dependence arises due to the asymmetric arrangement of atoms or ions in the lattice, making properties vary depending on the orientation of measurement.)

(একটি অ্যানিসোট্রোপিক ক্রিস্টাল বিভিন্ন ক্রিস্টালোগ্রাফিক দিক বরাবর বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা, প্রতিফলন সূচক বা তাপীয় সম্প্রসারণের মতো বৈশিষ্ট্যগুলি ভিন্ন দেখায়। এই দিকনির্ভরতা ল্যাটিসে পরমাণু বা আয়নের অসমmetrical বিন্যাসের কারণে ঘটে, ফলে বৈশিষ্ট্যগুলি মাপার দিকের ওপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হয়।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

.
In the powder diffraction method, a continuous cone of diffracted X-rays is formed because: (পাউডার ডিফ্র্যাকশন পদ্ধতিতে, কেন বিকিরিত এক্স-রে একটি ক্রমাগত শঙ্কু আকারে তৈরি হয়?)
  1. The sample consists of many randomly oriented crystallites (নমুনাটি অনেকগুলো বিপরীতমুখী ক্রিস্টালাইটের সমন্বয়ে গঠিত)
  2. The X-ray source is a cone (এক্স-রে উৎসটি একটি শঙ্কু)
  3. The film is cylindrical (ফিল্মটি সিলিন্ড্রিক্যাল)
  4. The sample is a single crystal that is rotated (নমুনাটি একটি একক ক্রিস্টাল যা ঘোরানো হয়)
ব্যাখ্যা

(In powder diffraction, the sample contains a large number of tiny crystallites randomly oriented in all directions. When X-rays strike these crystallites, Bragg diffraction occurs in multiple directions simultaneously. The superposition of all diffracted rays produces a continuous cone of X-rays, allowing measurement of diffraction angles even with randomly oriented grains.)

(পাউডার ডিফ্র্যাকশনে, নমুনাটি অনেকগুলো ছোট ক্রিস্টালাইটের সমন্বয়ে যা সব দিকেই এলোমেলোভাবে বিন্যস্ত। যখন এক্স-রে এই ক্রিস্টালাইটগুলোতে পড়ে, তখন ব্র্যাগ ডিফ্র্যাকশন একাধিক দিকেই ঘটে। সব বিকিরিত রশ্মির সমন্বয় একটি ক্রমাগত শঙ্কু আকারে এক্স-রে তৈরি করে, যা এলোমেলোভাবে বিন্যস্ত দানার ক্ষেত্রেও ডিফ্র্যাকশন কোণ পরিমাপ করা সম্ভব করে।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

.
In which molecules can infrared absorption be observed? (কোন অণুগুলিতে ইনফ্রারেড শোষণ দেখা যায়?)
  1. O2 (অক্সিজেন)
  2. HCl (হাইড্রোক্লোরিক এসিড)
  3. C2 (ডাইকার্বন)
  4. N2 (নাইট্রোজেন)
ব্যাখ্যা

(Infrared absorption occurs when a molecule has a changing dipole moment during vibration. HCl is a polar diatomic molecule, so its vibrations change the dipole moment, making it IR active. Nonpolar molecules like N2 and O2 do not have changing dipole moments during vibration, so they are IR inactive.)

(ইনফ্রারেড শোষণ ঘটে যখন একটি অণুর কম্পনের সময় ডাইপোল মুহূর্ত পরিবর্তিত হয়। HCl হলো একটি পোলার ডায়াটমিক অণু, তাই এর কম্পন ডাইপোল মুহূর্ত পরিবর্তন করে, ফলে এটি IR সক্রিয় হয়। N2 এবং O2 অ-পোলার এবং হোমোনিউক্লিয়ার; তাদের কম্পন ডাইপোল পরিবর্তন করে না, তাই এগুলি IR সক্রিয় নয়।)

[Source: Physical Chemistry – P. W. Atkins]

.
Which of the following experimental methods is most appropriate for identifying the orientation of a large single crystal? (নিম্নলিখিত পরীক্ষামূলক পদ্ধতিগুলির মধ্যে কোনটি বৃহৎ একক স্ফটিকের অভিমুখ নির্ধারণের জন্য সবচেয়ে উপযুক্ত?)
  1. Powder method (পাউডার পদ্ধতি)
  2. Laue method (লাউ পদ্ধতি)
  3. Oscillation method (অসিলেশন পদ্ধতি)
  4. Neutron spectroscopy (নিউট্রন স্পেকট্রোস্কপি)
ব্যাখ্যা

The Laue method is the best technique for determining the orientation of a large single crystal. It uses a beam of polychromatic X-rays that pass through the crystal, producing a diffraction pattern on a photographic plate. The arrangement of spots reveals the orientation of the crystal lattice. Powder method is used for polycrystalline samples, oscillation method is suited for small single crystals, and neutron spectroscopy is used for studying atomic vibrations and excitations, not orientation.

(বৃহৎ একক স্ফটিকের অভিমুখ নির্ধারণের জন্য সবচেয়ে কার্যকর পদ্ধতি হলো লাউ পদ্ধতি। এতে বহু তরঙ্গদৈর্ঘ্যের এক্স-রে স্ফটিকের মধ্যে প্রক্ষেপণ করা হয় এবং একটি আলোকচিত্র প্লেটে ডিফ্র্যাকশন প্যাটার্ন তৈরি হয়। এই বিন্দুগুলির বিন্যাস থেকে স্ফটিক জালের অভিমুখ নির্ধারণ করা যায়। পাউডার পদ্ধতি বহুস্ফটিক পদার্থের জন্য ব্যবহৃত হয়, অসিলেশন পদ্ধতি ছোট একক স্ফটিকের জন্য উপযুক্ত, আর নিউট্রন স্পেকট্রোস্কপি ব্যবহৃত হয় পরমাণুর কম্পন ও উত্তেজনা নির্ণয়ের জন্য, অভিমুখ নির্ধারণের জন্য নয়।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Elements of X-ray Diffraction – B. D. Cullity & S. R. Stock]

.
What does the ripple factor of a rectified DC signal indicate? (একটি রেক্টিফাইড DC সিগন্যালের রিপল ফ্যাক্টর কী নির্দেশ করে?)
  1. The efficiency of the rectifier (রেক্টিফায়ারের কার্যকারিতা)
  2. The amount of AC component in the DC output (DC আউটপুটে AC উপাদানের পরিমাণ)
  3. The number of diodes used in the rectifier (রেক্টিফায়ারে ব্যবহৃত ডায়োডের সংখ্যা)
  4. The average DC voltage (গড় DC ভোল্টেজ)
ব্যাখ্যা

The ripple factor measures the residual AC content in a rectified DC output. A lower ripple factor indicates smoother DC voltage with less AC fluctuation, which is desirable for most electronic circuits. It does not directly indicate rectifier efficiency, number of diodes, or average voltage.

(রিপল ফ্যাক্টর একটি রেক্টিফাইড DC আউটপুটে অবশিষ্ট AC উপাদানের পরিমাণকে পরিমাপ করে। কম রিপল ফ্যাক্টর মানে DC ভোল্টেজ মসৃণ এবং কম AC ওঠানামা রয়েছে, যা অধিকাংশ ইলেকট্রনিক সার্কিটের জন্য ইচ্ছাকৃত। এটি সরাসরি রেক্টিফায়ারের কার্যকারিতা, ডায়োডের সংখ্যা বা গড় ভোল্টেজ নির্দেশ করে না।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Electronics Fundamentals – A. Malvino]

.
In a one-dimensional Kronig-Penney model, the total number of possible wave functions is equal to (এক-মাত্রিক ক্রোনিগ-পেনি মডেলে সম্ভাব্য মোট ওয়েভ ফাংশনের সংখ্যা কত?)
  1. Number of unit cells (ইউনিট সেলের সংখ্যা)
  2. Twice the number of unit cells (ইউনিট সেলের দ্বিগুণ সংখ্যা)
  3. Half the number of unit cells (ইউনিট সেলের অর্ধেক সংখ্যা)
  4. Independent of the number of unit cells (ইউনিট সেলের সংখ্যার উপর নির্ভরশীল নয়)
ব্যাখ্যা

In the one-dimensional Kronig-Penney model, the crystal is considered as a periodic potential consisting of N unit cells. According to Bloch’s theorem, there are N allowed wave vectors corresponding to N possible wave functions in a given energy band. Each wave function represents a quantum state that an electron can occupy, and the total number of states is directly proportional to the number of unit cells, not doubled or halved. This is fundamental in understanding energy band formation in solids.

(এক-মাত্রিক ক্রোনিগ-পেনি মডেলে, স্ফটিককে ধাপে ধাপে N ইউনিট সেল দ্বারা গঠিত একটি পিরিয়ডিক সম্ভাবনা হিসেবে ধরা হয়। ব্লচের তত্ত্ব অনুযায়ী, একটি নির্দিষ্ট শক্তি ব্যান্ডে Nটি অনুমোদিত তরঙ্গ ভেক্টর থাকে, যা Nটি সম্ভাব্য তরঙ্গ ফাংশন নির্দেশ করে। প্রতিটি তরঙ্গ ফাংশন একটি কোয়ান্টাম অবস্থান নির্দেশ করে যা ইলেকট্রন দখল করতে পারে। মোট অবস্থানের সংখ্যা ইউনিট সেলের সংখ্যার সরাসরি অনুপাত, যা দ্বিগুণ বা অর্ধেক নয়। এটি কঠিন পদার্থে শক্তি ব্যান্ড গঠনের মূল ভিত্তি।)

[Source: Solid State Physics – N. W. Ashcroft & N. D. Mermin]

.
The Einstein model of specific heat successfully explained the decrease of specific heat at low temperatures but failed to accurately predict the functional form because it assumed that:
(নির্দিষ্ট তাপের আইনস্টাইন মডেল নিম্ন তাপমাত্রায় নির্দিষ্ট তাপের হ্রাস সফলভাবে ব্যাখ্যা করেছিল কিন্তু কার্যকর রূপ সঠিকভাবে ভবিষ্যদ্বাণী করতে ব্যর্থ হয়েছিল কারণ এতে অনুমান করা হয়েছিল যে:)
  1. Atoms are not oscillators. (পরমাণুগুলি দোলক নয়)
  2. All atomic oscillators vibrate with the same frequency. (সমস্ত পরমাণু দোলক একই কম্পাঙ্কে দোলায়িত হয়)
  3. The lattice was one-dimensional. (জালক এক-মাত্রিক ছিল)
  4. The oscillators have a continuous spectrum of energies. (দোলকগুলির শক্তি একটি ধারাবাহিক বর্ণালীতে বিদ্যমান)
ব্যাখ্যা

Einstein’s model of specific heat was a breakthrough because it introduced quantum concepts into solid-state physics. It assumed that each atom in the lattice behaves like an independent quantum harmonic oscillator. While this explained the drop in specific heat at low temperatures, Einstein’s assumption that all oscillators vibrate with the same frequency was too simplistic. In reality, atoms in a lattice vibrate with a range of frequencies (phonon spectrum). This limitation made Einstein’s model unable to match the exact temperature dependence of specific heat, which was later corrected by Debye’s model.

(আইনস্টাইনের নির্দিষ্ট তাপের মডেল একটি গুরুত্বপূর্ণ অগ্রগতি ছিল কারণ এটি কঠিন পদার্থবিজ্ঞানে কোয়ান্টাম ধারণা প্রবর্তন করে। তিনি অনুমান করেছিলেন যে জালের প্রতিটি পরমাণু একটি স্বতন্ত্র কোয়ান্টাম হারমোনিক দোলকের মতো আচরণ করে। যদিও এতে নিম্ন তাপমাত্রায় নির্দিষ্ট তাপের হ্রাস ব্যাখ্যা করা গিয়েছিল, কিন্তু সমস্ত দোলক একই কম্পাঙ্কে দোলায়িত হয়—এই অনুমানটি অতিমাত্রায় সরলীকৃত ছিল। বাস্তবে, জালের পরমাণুগুলি ভিন্ন ভিন্ন কম্পাঙ্কে দোলায়িত হয় (ফোনন স্পেকট্রাম)। এই সীমাবদ্ধতার কারণে আইনস্টাইনের মডেল সঠিক তাপমাত্রা-নির্ভর নির্দিষ্ট তাপ ব্যাখ্যা করতে ব্যর্থ হয়, যা পরে ডিবাই মডেল দ্বারা সংশোধিত হয়।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

.
Which of the following is an example of a Van der Waals crystal? (নিম্নলিখিতগুলির মধ্যে কোনটি ভ্যান ডার ভালস স্ফটিকের উদাহরণ?)
  1. Diamond (হীরা)
  2. Sodium chloride (সোডিয়াম ক্লোরাইড)
  3. Iodine (I₂) (আয়োডিন)
  4. Silicon (সিলিকন)
ব্যাখ্যা

Van der Waals crystals are held together by weak Van der Waals forces rather than strong covalent or ionic bonds. Iodine (I₂) is a classic example of a Van der Waals crystal because its molecules are held together in the solid state by weak intermolecular forces. In contrast, diamond and silicon are covalent crystals, and sodium chloride is an ionic crystal.

(ভ্যান ডার ভালস স্ফটিকগুলো শক্তিশালী কোভ্যালেন্ট বা আয়নিক বন্ধনের পরিবর্তে দুর্বল ভ্যান ডার ভালস শক্তি দ্বারা একত্রে থাকে। আয়োডিন (I₂) হলো ভ্যান ডার ভালস স্ফটিকের একটি চিরাচরিত উদাহরণ, কারণ এর অণুগুলো কঠিন অবস্থায় দুর্বল আন্তঃঅণু শক্তি দ্বারা সংযুক্ত থাকে। বিপরীতে, হীরা ও সিলিকন কোভ্যালেন্ট স্ফটিক এবং সোডিয়াম ক্লোরাইড আয়নিক স্ফটিক।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

১০.
A superconducting ring is cooled below its critical temperature Tc​ in the presence of a magnetic field. The total magnetic flux through the ring is __________.
(একটি সুপারকন্ডাক্টিং রিংকে চূড়ান্ত তাপমাত্রা Tc​-এর নিচে চুম্বকীয় ক্ষেত্রের উপস্থিতিতে ঠান্ডা করলে, রিং-এর মধ্য দিয়ে মোট চুম্বকীয় ফ্লাক্স কত হয়?)
  1. nh/2e
  2. ne2hc 
  3. Zero
  4. nh4πe 
ব্যাখ্যা

In a superconducting ring, the magnetic flux is quantized in units of φ0 = h/2e where h is Planck's constant and e is the electron charge. When cooled below Te, the ring expels magnetic fields (Meissner effect) but allows quantized flux lines. Thus, the total flux passing through the ring is always an integer multiple of h/2e, i.e., nh/2e. This is a direct consequence of quantum mechanics in superconductors.

(একটি সুপারকন্ডাক্টিং রিং-এ চুম্বকীয় ফ্লাক্স কোয়ান্টাইজড হয় φ0 = h/2e ইউনিটে, যেখানে h প্ল্যাঙ্কের ধ্রুবক এবং e ইলেকট্রনের চার্জ। T-এর নিচে ঠান্ডা করলে, রিং চুম্বকীয় ক্ষেত্রকে বহিষ্কার করে (মেইসনার প্রভাব), কিন্তু কোয়ান্টাইজড ফ্লাক্স লাইনকে অনুমোদন দেয়। তাই রিং-এর মধ্য দিয়ে মোট ফ্লাক্স সবসময় h/2e-এর পূর্ণসংখ্যা গুণিতক হয়, অর্থাৎ nh/2e। এটি সুপারকন্ডাক্টরের কোয়ান্টাম মেকানিক্সের সরাসরি ফল।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

১১.
The value of Madelung constant depends on: (ম্যাডেলুং ধ্রুবকের মান কোন বিষয়ের উপর নির্ভর করে?)
  1. The type of ions and their arrangement (আয়নের ধরন এবং তাদের বিন্যাস)
  2. Temperature only (শুধুমাত্র তাপমাত্রা)
  3. Pressure only (শুধুমাত্র চাপ)
  4. Color of the crystal (স্ফটিকের রঙ)
ব্যাখ্যা

The Madelung constant is a dimensionless number that characterizes the electrostatic potential of an ion in a crystal lattice due to all other ions. Its value depends on the types of ions involved and the geometric arrangement of these ions in the lattice. It does not depend on external factors like temperature, pressure, or the color of the crystal.

(ম্যাডেলুং ধ্রুবক হলো একটি মাত্রাহীন সংখ্যা যা একটি স্ফটিক জালে কোনো আয়নের উপর অন্যান্য সকল আয়নের কারণে সৃষ্ট বৈদ্যুতিক সম্ভাবনার পরিমাপ দেয়। এর মান নির্ভর করে আয়নের ধরন এবং জালে আয়নগুলোর ভৌগোলিক বিন্যাসের উপর। এটি তাপমাত্রা, চাপ বা স্ফটিকের রঙের মতো বাইরের উপাদানের উপর নির্ভরশীল নয়।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

১২.
A ferromagnetic material has a Curie temperature of 100 K. Which statement is correct? (একটি ফেরোম্যাগনেটিক পদার্থের কুরি তাপমাত্রা 100 K। কোন বিবৃতি সঠিক?)
  1. Its susceptibility is doubled when cooled from 300 K to 200 K (300 K থেকে 200 K তাপমাত্রায় ঠান্ডা করলে এর সংবেদনশীলতা দ্বিগুণ হয়)
  2. The plot of inverse susceptibility versus temperature is linear with a slope Tc (উল্টা চুম্বকীয় সংবেদনশীলতার গ্রাফ তাপমাত্রার সাথে লিনিয়ার হয়, স্লোপ Tc)
  3. All atomic magnets get oriented in the same direction above 100 K (100 K-এর উপরে সব পারমাণবিক চুম্বক একদিকে পরিচালিত হয়)
  4. The plot of its susceptibility versus temperature is linear with an intercept Tc (চুম্বকীয় সংবেদনশীলতার গ্রাফ তাপমাত্রার সাথে লিনিয়ার হয়, ইন্টারসেপ্ট Tc)
ব্যাখ্যা

For a ferromagnetic material, Curie temperature (Tc) marks the transition from ferromagnetic to paramagnetic behavior. Above Tc, the material follows the Curie-Weiss law, x = C /(T - Tc), where x is susceptibility and C is the Curie constant. Plotting 1/x vs T yields a straight line with a slope of 1/C and intercept at Tc, which explains linearity with slope related to Tc. Susceptibility is not simply doubled by cooling, and atomic magnets only align below Tc.

(একটি ফেরোম্যাগনেটিক পদার্থের জন্য, কারি তাপমাত্রা (Tc) হলো ফেরোম্যাগনেটিক থেকে প্যারাম্যাগনেটিক অবস্থায় পরিবর্তনের সীমা। Tc-এর উপরে, পদার্থ Curie-Weiss আইন অনুসরণ করে, x = C/(T - Tc), যেখানে X হলো সংবেদনশীলতা এবং C হলো Curie ধ্রুবক। 1/x বনাম T গ্রাফ একটি সরাসরি রেখা তৈরি করে, যার স্লোপ 1/C এবং Tc-তে ইন্টারসেপ্ট থাকে। সংবেদনশীলতা শুধু ঠান্ডা করলে দ্বিগুণ হয় না, এবং পারমাণবিক চুম্বক Tc-এর নিচে মিলিত হয়।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

১৩.
In the Einstein model of specific heat, each atom in the solid is treated as: (আইনস্টাইনের নির্দিষ্ট তাপের মডেলে, কঠিনের প্রতিটি পরমাণুকে কিভাবে বিবেচনা করা হয়?)
  1. Free particle (স্বতন্ত্র কণা)
  2. Quantum harmonic oscillator (কোয়ান্টাম হারমোনিক দোলক)
  3. Classical oscillator (শাস্ত্রীয় দোলক)
  4. Rigid rotor (কঠিন রটার)
ব্যাখ্যা

In Einstein’s model, each atom in a solid is considered as an independent quantum harmonic oscillator that vibrates about its equilibrium position. This approach allows the model to incorporate quantum mechanics and explain the decrease in specific heat at low temperatures, which classical models could not.

(আইনস্টাইনের মডেলে, কঠিনের প্রতিটি পরমাণুকে স্বতন্ত্র কোয়ান্টাম হারমোনিক দোলক হিসেবে বিবেচনা করা হয়, যা তার সমতুল্য অবস্থানের চারপাশে দোলায়িত হয়। এই পদ্ধতি কোয়ান্টাম মেকানিক্সকে অন্তর্ভুক্ত করতে সক্ষম হয় এবং নিম্ন তাপমাত্রায় নির্দিষ্ট তাপ হ্রাস ব্যাখ্যা করতে সাহায্য করে, যা শাস্ত্রীয় মডেল ব্যাখ্যা করতে পারত না।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

১৪.
What primarily determines the output frequency of an inverter? (ইনভার্টারের আউটপুট ফ্রিকোয়েন্সি মূলত কী দ্বারা নির্ধারিত হয়?)
  1. The switching frequency (সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি)
  2. The input voltage (ইনপুট ভোল্টেজ)
  3. The number of diodes used (ব্যবহৃত ডায়োডের সংখ্যা)
  4. The size of the transformer (ট্রান্সফর্মারের আকার)
ব্যাখ্যা

In an inverter, the output AC frequency is primarily controlled by how fast the power electronic switches turn on and off, known as the switching frequency. Adjusting the switching frequency directly changes the frequency of the output waveform. Input voltage, number of diodes, or transformer size mainly affect voltage levels and power handling, not frequency.

(ইনভার্টারে আউটপুট AC ফ্রিকোয়েন্সি মূলত পাওয়ার ইলেকট্রনিক সুইচগুলো কত দ্রুত অন ও অফ হয় তার দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়, যা সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি নামে পরিচিত। সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি পরিবর্তন করলে সরাসরি আউটপুট তরঙ্গের ফ্রিকোয়েন্সি পরিবর্তিত হয়। ইনপুট ভোল্টেজ, ডায়োডের সংখ্যা বা ট্রান্সফর্মারের আকার মূলত ভোল্টেজ স্তর এবং পাওয়ার হ্যান্ডলিংয়ে প্রভাব ফেলে, ফ্রিকোয়েন্সিতে নয়।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Electronics Fundamentals – A. Malvino]

১৫.
The unit cell of a crystal is defined by three vectors a, b, and c. The vectors are mutually perpendicular, but a≠b≠c. What is the crystal structure? (একটি ক্রিস্টালের ইউনিট সেল তিনটি ভেক্টর a, b, c দ্বারা সংজ্ঞায়িত। ভেক্টরগুলো পরস্পর লম্ব, কিন্তু a≠b≠c। ক্রিস্টাল কাঠামো কোনটি?)
  1. Monoclinic (মনোক্লিনিক)
  2. Tetragonal (টেট্রাগোনাল)
  3. Orthorhombic (অর্থোরম্বিক)
  4. Triclinic (ট্রাইক্লিনিক)
ব্যাখ্যা

In an orthorhombic crystal, all three axes are mutually perpendicular, but the lengths of the axes are unequal (a≠b≠c). This differentiates it from cubic or tetragonal systems, where one or more axes are equal. Triclinic has no perpendicular axes, and monoclinic has only two axes perpendicular. Orthorhombic structures are common in many ionic and molecular crystals.

(একটি অর্থোরম্বিক ক্রিস্টালে, সব তিনটি অক্ষ পরস্পর লম্ব, কিন্তু তাদের দৈর্ঘ্য ভিন্ন (a≠b≠c)। এটি কিউবিক বা টেট্রাগোনাল সিস্টেম থেকে পৃথক, যেখানে এক বা একাধিক অক্ষ সমান। ট্রাইক্লিনিক সেলের কোনো অক্ষ লম্ব নয়, এবং মনোক্লিনিক সেলের কেবল দুইটি অক্ষ লম্ব। অর্থোরম্বিক কাঠামো অনেক আয়নিক এবং অণু ক্রিস্টালে সাধারণ।)

[Source: Solid State Physics – N. W. Ashcroft & N. D. Mermin]

১৬.
Which of the following correctly describes a TRIAC? (নিম্নলিখিত কোনটি TRIAC কে সঠিকভাবে বর্ণনা করে?)
  1. Bilateral device (দ্বি-মুখী ডিভাইস)
  2. Two terminal device (দুই টার্মিনালের ডিভাইস)
  3. Unilateral device (একমুখী ডিভাইস)
  4. Four terminal device (চার টার্মিনালের ডিভাইস)
ব্যাখ্যা

A TRIAC (Triode for Alternating Current) is a semiconductor device that can conduct current in both directions when triggered, making it a bilateral device. It is commonly used for controlling AC power in applications like light dimmers, motor speed controls, and heater controls. Unlike a unilateral device (like a standard SCR), it can handle current in both halves of the AC cycle.

(TRIAC (Triode for Alternating Current) একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা ট্রিগার করা হলে উভয় দিকেই কারেন্ট পরিবাহিত করতে পারে, তাই এটি একটি দ্বি-মুখী ডিভাইস। এটি সাধারণভাবে AC পাওয়ার নিয়ন্ত্রণের জন্য ব্যবহার করা হয়, যেমন লাইট ডিমার, মোটর স্পিড কন্ট্রোল এবং হিটার কন্ট্রোল। একটি একমুখী ডিভাইসের মতো নয়, এটি AC চক্রের উভয় অংশে কারেন্ট পরিচালনা করতে পারে।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Electronics Fundamentals – A. Malvino]

১৭.
How does the Debye model differ from the Einstein model in describing the vibrations of atoms in a solid? (একটি কঠিনে পরমাণুর কম্পন বর্ণনার ক্ষেত্রে ডিবাই মডেল আইনস্টাইন মডেল থেকে কীভাবে ভিন্ন?)
  1. Considering all atoms vibrate with same frequency (সমস্ত পরমাণু একই কম্পাঙ্কে দোলায়িত হয় বলে বিবেচনা করা)
  2. Considering a spectrum of vibration frequencies up to Debye frequency (ডিবাই কম্পাঙ্ক পর্যন্ত কম্পনের একটি বর্ণালী বিবেচনা করা)
  3. Ignoring quantum effects (কোয়ান্টাম প্রভাব উপেক্ষা করা)
  4. Treating the solid as a gas (কঠিনকে গ্যাস হিসেবে বিবেচনা করা)
ব্যাখ্যা

The Debye model improves upon the Einstein model by recognizing that atoms in a solid do not all vibrate at the same frequency. Instead, it considers a continuous spectrum of vibrational frequencies up to a maximum called the Debye frequency. This allows the Debye model to more accurately predict the temperature dependence of specific heat, especially at low temperatures, where Einstein’s model fails.

(ডিবাই মডেল আইনস্টাইন মডেলকে উন্নত করে কারণ এটি বুঝতে পারে যে কঠিনের সব পরমাণু একই কম্পাঙ্কে দোলায়িত হয় না। পরিবর্তে, এটি কম্পনের একটি ধারাবাহিক বর্ণালী বিবেচনা করে যা সর্বাধিক ডিবাই কম্পাঙ্ক পর্যন্ত বিস্তৃত। এই পদ্ধতি ডিবাই মডেলকে বিশেষত নিম্ন তাপমাত্রায় নির্দিষ্ট তাপের তাপমাত্রা-নির্ভরতা সঠিকভাবে পূর্বানুমান করতে সক্ষম করে, যেখানে আইনস্টাইনের মডেল ব্যর্থ হয়।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

১৮.
The ratio of the number of atoms in simple cubic (SC), body-centered cubic (BCC), and face-centered cubic (FCC) structures is __________. (সিম্পল কিউবিক (SC), বডি-সেন্টারড কিউবিক (BCC), এবং ফেস-সেন্টারড কিউবিক (FCC) কাঠামোতে অণুর সংখ্যা অনুপাত কত?)
  1. 4:2:3
  2. 8:1:6
  3. 4:2:1
  4. 1:2:4
ব্যাখ্যা

In crystallography:

Simple cubic (SC) has 1 atom per unit cell (8 corners × 1/8 each).
Body-centered cubic (BCC) has 2 atoms per unit cell (8 corners × 1/8 + 1 center atom).
Face-centered cubic (FCC) has 4 atoms per unit cell (8 corners × 1/8 + 6 face atoms × 1/2).
Hence, the ratio of atoms is SC : BCC : FCC = 1 : 2 : 4. This reflects how efficiently the atoms are packed in different cubic lattices.

(ক্রিস্টালোগ্রাফিতে:

সিম্পল কিউবিক (SC) ইউনিট সেলে 1টি অণু থাকে (8টি কর্নার × 1/8)।
বডি-সেন্টারড কিউবিক (BCC) ইউনিট সেলে 2টি অণু থাকে (8 কর্নার × 1/8 + 1 সেন্টার অণু)।
ফেস-সেন্টারড কিউবিক (FCC) ইউনিট সেলে 4টি অণু থাকে (8 কর্নার × 1/8 + 6 ফেস অণু × 1/2)।
অতএব, অণুর অনুপাত হলো SC : BCC : FCC = 1 : 2 : 4। এটি দেখায় যে বিভিন্ন কিউবিক ল্যাটিসে অণু কতটা কার্যকরভাবে প্যাকড হয়েছে।)

[Source: Solid State Physics – N. W. Ashcroft & N. D. Mermin]

১৯.
Which model provides a more accurate representation of experimental specific heat data at low temperatures? (নিম্ন তাপমাত্রায় পরীক্ষামূলক নির্দিষ্ট তাপের ডেটার সাথে কোন মডেলটি বেশি সঙ্গতিপূর্ণ?)
  1. Einstein model (আইনস্টাইন মডেল)
  2. Debye model (ডিবাই মডেল)
  3. Dulong-Petit law (ডুলং-পেটি সূত্র)
  4. Classical model (চিরায়ত মডেল)
ব্যাখ্যা

The Debye model fits experimental specific heat data at low temperatures better than the Einstein model. While the Einstein model assumes all atoms vibrate at the same frequency, the Debye model considers a continuous spectrum of vibrational frequencies, allowing it to correctly predict the T³ dependence of specific heat at very low temperatures. Classical models and the Dulong-Petit law fail at low temperatures as they do not account for quantum effects.

(ডিবাই মডেল নিম্ন তাপমাত্রায় পরীক্ষামূলক নির্দিষ্ট তাপের ডেটার সাথে আইনস্টাইন মডেল থেকে অনেক বেশি সঙ্গতিপূর্ণ। যেখানে আইনস্টাইন মডেল ধরে নেয় যে সমস্ত পরমাণু একই কম্পাঙ্কে দোলায়িত হয়, সেখানে ডিবাই মডেল কম্পনের একটি ধারাবাহিক বর্ণালী বিবেচনা করে, যা খুব নিম্ন তাপমাত্রায় নির্দিষ্ট তাপের T³ নির্ভরতা সঠিকভাবে পূর্বানুমান করতে সক্ষম। শাস্ত্রীয় মডেল এবং ডুলং-পেটি সূত্র নিম্ন তাপমাত্রায় ব্যর্থ হয় কারণ তারা কোয়ান্টাম প্রভাবকে বিবেচনা করে না।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

২০.
NaCl crystals appear yellow due to __________. (NaCl ক্রিস্টাল হলুদ দেখায় এর কারণে)
  1. Schottky defect (শটস্কি ত্রুটি)
  2. Frenkel defect (ফ্রেঙ্কেল ত্রুটি)
  3. F-centres (এফ-সেন্টার)
  4. Interstitials (ইন্টারস্টিশিয়াল)
ব্যাখ্যা

NaCl appears yellow when some of the chloride ions are missing, leaving electrons trapped in the vacant sites. These trapped electrons are called F-centres (from German "Farbe" meaning color). They absorb visible light, typically in the violet-blue region, giving the crystal a yellow color. Schottky and Frenkel defects affect the stoichiometry or ion positions, but they do not directly produce color.

(NaCl হলুদ দেখায় যখন কিছু ক্লোরাইড আয়ন অনুপস্থিত থাকে, এবং শূন্যস্থানগুলোতে ইলেকট্রন ফাঁস থাকে। এই ফাঁস থাকা ইলেকট্রনগুলোকে বলা হয় F-centres (জার্মান "Farbe" মানে রঙ)। এগুলো দৃশ্যমান আলো, বিশেষ করে বেগুনি-নীল রঙ, শোষণ করে, ফলে ক্রিস্টাল হলুদ দেখায়। শটস্কি এবং ফ্রেঙ্কেল ত্রুটি আয়নের অবস্থান বা অনুপাতকে প্রভাবিত করে, কিন্তু সরাসরি রঙ উৎপন্ন করে না।)

[Source: Solid State Physics – N. W. Ashcroft & N. D. Mermin]

২১.
The density of states (DOS) function gives: (ডেনসিটি অফ স্টেটস (DOS) ফাংশন কী দেয়?)
  1. Number of atoms per unit volume (একক আয়তনে পরমাণুর সংখ্যা)
  2. Number of allowed electron states per unit energy range (একক শক্তি পরিসরের জন্য অনুমোদিত ইলেকট্রন অবস্থার সংখ্যা)
  3. Number of charge carriers per unit volume (একক আয়তনে চার্জ বাহকের সংখ্যা)
  4. Number of photons per unit energy (একক শক্তির জন্য ফোটনের সংখ্যা)
ব্যাখ্যা

The density of states (DOS) function describes how many electronic states are available for electrons at each energy level within a solid. It is crucial in solid-state physics for understanding electronic properties, as it indicates the distribution of energy levels that electrons can occupy. DOS is particularly important in determining electrical conductivity, heat capacity, and optical properties of materials.

(ডেনসিটি অফ স্টেটস (DOS) ফাংশন প্রতিটি শক্তি স্তরে একটি কঠিনে ইলেকট্রনদের জন্য কতগুলি অবস্থান উপলব্ধ তা বর্ণনা করে। এটি কঠিন পদার্থবিজ্ঞানে গুরুত্বপূর্ণ, কারণ এটি দেখায় কোন শক্তি স্তরে ইলেকট্রন অবস্থান নিতে পারে। DOS বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা, তাপমাত্রার নির্দিষ্ট তাপ এবং পদার্থের অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য নির্ধারণে বিশেষভাবে গুরুত্বপূর্ণ।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

২২.
A TRIAC is electrically equivalent to which combination? (একটি TRIAC বৈদ্যুতিকভাবে কোন সংমিশ্রণের সমতুল্য?)
  1. One SCR and one diode connected in parallel (একটি SCR এবং একটি ডায়োড প্যারালালভাবে সংযুক্ত)
  2. One BJT and one SCR connected in parallel (একটি BJT এবং একটি SCR প্যারালালভাবে সংযুক্ত)
  3. Two SCRs connected in parallel (দুটি SCR প্যারালালভাবে সংযুক্ত)
  4. Two SCRs connected in antiparallel (দুটি SCR বিপরীত প্যারালেলে সংযুক্ত)
ব্যাখ্যা

A TRIAC can conduct current in both directions when triggered, making it equivalent to two SCRs connected in antiparallel (opposite directions). This allows it to control AC power in both halves of the AC cycle. Other combinations, such as a single SCR with a diode, cannot handle bidirectional conduction.

(TRIAC ট্রিগার হলে উভয় দিকে কারেন্ট পরিবাহিত করতে পারে, যা এটিকে দুটি SCR-এর বিপরীত প্যারালেল সংযোগের সমতুল্য করে। এটি AC পাওয়ারকে AC চক্রের উভয় অংশে নিয়ন্ত্রণ করতে সক্ষম। অন্যান্য সংমিশ্রণ যেমন একটি SCR এবং একটি ডায়োড উভয় দিকের পরিবাহিতা পরিচালনা করতে পারে না।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Electronics Fundamentals – A. Malvino]

২৩.
Which of the following statements best describes the characteristics of a crystalline solid? (নিম্নলিখিত কোনটি একটি ক্রিস্টালাইন সলিডের বৈশিষ্ট্য সবচেয়ে ভালোভাবে বর্ণনা করে?)
  1. Has an uneven 3-dimensional layout (অসম ৩-মাত্রিক বিন্যাস থাকে)
  2. Changes abruptly from solid to liquid when heated (উষ্ণ করলে কঠিন থেকে তরল অবস্থায় হঠাৎ পরিবর্তন ঘটে)
  3. There is no precise melting point (নির্দিষ্ট গলনবিন্দু নেই)
  4. Easily experiences geometric deformation (সহজে জ্যামিতিক বিকৃতি ঘটে)
ব্যাখ্যা

A crystalline solid has a well-ordered 3D arrangement of atoms, ions, or molecules, resulting in a definite geometric shape and a sharp melting point. When heated, it changes abruptly from solid to liquid at a specific temperature. In contrast, amorphous solids lack long-range order, melt over a temperature range, and may deform easily.

(একটি ক্রিস্টালাইন সলিড-এর পরিকল্পিত ৩-মাত্রিক বিন্যাস থাকে, যা স্পষ্ট জ্যামিতিক আকার এবং একটি নির্দিষ্ট গলনবিন্দু প্রদান করে। উষ্ণ করলে এটি নির্দিষ্ট তাপমাত্রায় কঠিন থেকে তরলে হঠাৎ পরিবর্তিত হয়। এর বিপরীতে, অ্যামরফাস সলিড দীর্ঘ-পরিসরের বিন্যাসহীন, তাপমাত্রা পরিসরে গলে, এবং সহজে বিকৃত হয়।)

[Source: Solid State Physics – N. W. Ashcroft & N. D. Mermin]

২৪.
Which factor leads to an increase in the density of states within the conduction band of a semiconductor? (কোনটি সেমিকন্ডাক্টরের কনডাকশন ব্যান্ডে ডেনসিটি অফ স্টেটস বৃদ্ধি করে?)
  1. Decreasing effective mass of electrons (ইলেকট্রনের কার্যকর ভরের হ্রাস)
  2. Increasing effective mass of electrons (ইলেকট্রনের কার্যকর ভরের বৃদ্ধি)
  3. Reducing bandgap (ব্যান্ডগ্যাপ হ্রাস করা)
  4. Increasing temperature only (শুধুমাত্র তাপমাত্রা বৃদ্ধি করা)
ব্যাখ্যা

The density of states in a semiconductor’s conduction band increases with higher effective mass of electrons. A larger effective mass reduces electron mobility, allowing more quantum states per unit energy. While reducing bandgap or increasing temperature changes carrier concentration, the DOS itself is mainly influenced by the effective mass.

(সেমিকন্ডাক্টরের কনডাকশন ব্যান্ডে ডেনসিটি অফ স্টেটস ইলেকট্রনের কার্যকর ভরের বৃদ্ধি হলে বৃদ্ধি পায়। কার্যকর ভর বেশি হলে ইলেকট্রনের গতিশীলতা কমে যায়, ফলে প্রতিটি শক্তি স্তরে আরও কোয়ান্টাম অবস্থান থাকে। ব্যান্ডগ্যাপ হ্রাস বা তাপমাত্রা বৃদ্ধি করলে চার্জ ক্যারিয়ারের ঘনত্ব পরিবর্তিত হয়, তবে DOS মূলত কার্যকর ভরের উপর নির্ভর করে।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

২৫.
In which of the following applications is a TRIAC commonly used? (নিম্নলিখিত কোন অ্যাপ্লিকেশনে সাধারণভাবে TRIAC ব্যবহার করা হয়?)
  1. ape-recorders (টেপ-রেকর্ডার)
  2. Black and White TV sets (কালো-সাদা টিভি সেট)
  3. Colour TV sets (রঙিন টিভি সেট)
  4. Audio systems (অডিও সিস্টেম)
ব্যাখ্যা

TRIACs are widely used in AC power control applications, such as in colour TV sets, to regulate brightness, control motor-driven functions, and manage other AC-powered components. They act as efficient bidirectional switches, allowing precise control of AC voltage. Applications like tape-recorders or audio systems may use other control methods and don’t typically require TRIACs.

(TRIAC সাধারণভাবে AC পাওয়ার নিয়ন্ত্রণের জন্য ব্যবহৃত হয়, যেমন রঙিন টিভি সেটে, উজ্জ্বলতা নিয়ন্ত্রণ, মোটর-চালিত ফাংশন নিয়ন্ত্রণ এবং অন্যান্য AC-পাওয়ার উপাদান পরিচালনার জন্য। এটি একটি দক্ষ দ্বি-মুখী সুইচ হিসেবে কাজ করে, যা AC ভোল্টেজের সঠিক নিয়ন্ত্রণ সম্ভব করে। টেপ-রেকর্ডার বা অডিও সিস্টেমের মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলোতে সাধারণত TRIAC প্রয়োজন হয় না।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Electronics Fundamentals – A. Malvino]

২৬.
The interplanar spacing of (220) planes in a Face-Centered Cubic (FCC) crystal is 1.7458 Å. Calculate the lattice constant. ((220) প্লেনের ইন্টারপ্লেনার স্পেসিং FCC কাঠামোতে 1.7458 Å। ল্যাটিস কনস্ট্যান্ট নির্ণয় করুন)
Options (shuffled):
  1. 5.125 Å
  2. 4.983 Å
  3. 2.458 Å
  4. 0
ব্যাখ্যা


[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

২৭.
What is the phenomenon called when a superconductor completely pushes out magnetic fields from its interior? (একটি সুপারকন্ডাক্টরের অভ্যন্তর থেকে চুম্বকীয় ক্ষেত্র সম্পূর্ণভাবে বহিষ্কৃত হওয়ার প্রক্রিয়াটিকে কী বলা হয়?)
  1. Meissner effect (মেইসনার ক্রিয়া)
  2. Hall effect (হল ক্রিয়া)
  3. Seebeck effect (সিবেক ক্রিয়া)
  4. Josephson effect (জোসেফসন প্রভাব)
ব্যাখ্যা

The Meissner effect occurs when a superconductor expels all magnetic fields from its interior as it is cooled below its critical temperature. This property differentiates superconductors from ordinary perfect conductors, showing that superconductivity is a unique thermodynamic state, not just zero electrical resistance.

(মেইসনার প্রভাব হলো সেই ঘটনা যেখানে একটি সুপারকন্ডাক্টর তার সমালোচনামূলক তাপমাত্রার নিচে গেলে অভ্যন্তর থেকে সমস্ত চুম্বকীয় ক্ষেত্রকে বহিষ্কার করে। এই বৈশিষ্ট্য সুপারকন্ডাক্টরকে সাধারণ নিখুঁত পরিবাহকের থেকে আলাদা করে, দেখায় যে সুপারকন্ডাক্টিভিটি কেবল শূন্য বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ নয়, বরং একটি স্বতন্ত্র তাপগতীয় অবস্থা।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

২৮.
When do ionic compounds conduct electricity? (আয়নিক যৌগ কখন বিদ্যুৎ পরিবাহন করে?)
  1. In gaseous state (গ্যাসীয় অবস্থায়)
  2. When dissolved in water (পানিতে দ্রবীভূত হলে)
  3. In solid state (কঠিন অবস্থায়)
  4. They never conduct (কখনো পরিবাহন করে না)
ব্যাখ্যা

When ionic compounds are in solid state, their ions are locked in the crystal lattice, so they cannot move freely, and hence cannot conduct electricity. However, when dissolved in water or molten, the ions are mobile and can carry electric current. The positively charged cations move toward the cathode, and negatively charged anions move toward the anode, completing the circuit. This is why ionic compounds are good conductors in aqueous or molten form, but poor conductors as solids. This property is fundamental in understanding electrolytes and ionic conduction.

(যখন আয়নিক যৌগ কঠিন অবস্থায় থাকে, তাদের আয়ন ক্রিস্টাল ল্যাটিসে স্থির থাকে, তাই তারা স্বাধীনভাবে চলতে পারে না, এবং বিদ্যুৎ পরিবাহন করতে পারে না। তবে, পানিতে দ্রবীভূত বা গলিত অবস্থায়, আয়নগুলো মোবাইল হয়ে যায় এবং বিদ্যুৎ পরিবাহন করতে পারে। ধনাত্মক ক্যাথিয়ন ক্যাথোডের দিকে এবং ঋণাত্মক আয়ন অ্যানোডের দিকে চলে, সার্কিট সম্পূর্ণ করে। এজন্য আয়নিক যৌগ পানিতে বা গলিত অবস্থায় ভাল পরিবাহক, কিন্তু কঠিন অবস্থায় খারাপ পরিবাহক। এটি ইলেকট্রোলাইট এবং আয়নিক পরিবাহনের বোঝার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।)

[Source: Solid State Physics – Charles Kittel]

২৯.
Which of the following materials exhibits superconductivity at relatively high temperatures? (নিম্নলিখিত কোন পদার্থ অপেক্ষাকৃত উচ্চ তাপমাত্রায় সুপারকন্ডাক্টিভিটি প্রদর্শন করে?)
  1. Mercury (Hg) 
  2. Niobium-titanium (NbTi) 
  3. YBa₂Cu₃O₇ 
  4. Lead (Pb) 
ব্যাখ্যা

YBa₂Cu₃O₇, commonly known as YBCO, is a high-temperature superconductor, meaning it exhibits superconductivity at temperatures much higher than conventional superconductors like lead or mercury. High-temperature superconductors are usually ceramic materials and have critical temperatures above 77 K, allowing them to be cooled using liquid nitrogen rather than expensive liquid helium.

(YBa₂Cu₃O₇, সাধারণভাবে YBCO নামে পরিচিত, একটি উচ্চ-তাপমাত্রার সুপারকন্ডাক্টর, যা প্রচলিত সুপারকন্ডাক্টর যেমন সীসা বা পারদের চেয়ে অনেক উচ্চ তাপমাত্রায় সুপারকন্ডাক্টিভিটি প্রদর্শন করে। উচ্চ-তাপমাত্রার সুপারকন্ডাক্টর সাধারণত সিরামিক পদার্থ এবং এদের সমালোচনামূলক তাপমাত্রা 77 K এর উপরে, যা তাদের তরল নাইট্রোজেন ব্যবহার করে শীতল করা সম্ভব করে, ব্যয়বহুল তরল হিলিয়াম ছাড়াই।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

৩০.
If an AM signal has a carrier power of 1,000 Watts and a modulation index of 80%, what is the power in the upper sideband? (যদি একটি AM সিগন্যালের ক্যারিয়ার পাওয়ার 1,000 ওয়াট হয় এবং মডুলেশন সূচক 80% হয়, তাহলে আপার সাইডব্যান্ডের পাওয়ার কত হবে?)
  1. 800 Watts
  2. 160 Watts
  3. 320 Watts
  4. 640 Watts 
ব্যাখ্যা



[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

৩১.
What type of crystal structure does diamond have? (ডায়মন্ডের ক্রিস্টাল কাঠামোর ধরন কী?)
  1. Hexagonal (হেক্সাগোনাল)
  2. Cubic (কিউবিক)
  3. Amorphous (অ্যামরফাস)
  4. Orthorhombic (অর্থোরম্বিক
ব্যাখ্যা

(Diamond has a cubic crystal structure, specifically a face-centered cubic (FCC) lattice with a two-atom basis. Each carbon atom is tetrahedrally bonded to four others, forming a very strong and rigid 3D network. This arrangement gives diamond its extreme hardness, high melting point, and transparency. The cubic lattice ensures uniform bonding in all directions, which is why diamond is one of the hardest known materials.)

(ডায়মন্ডের কিউবিক ক্রিস্টাল কাঠামো আছে, বিশেষত একটি ফেস-সেন্টারড কিউবিক (FCC) ল্যাটিস যার মধ্যে দুটি আয়ন_basis রয়েছে। প্রতিটি কার্বন আয়ন টেট্রাহেড্রালভাবে চারটি আয়নের সঙ্গে যুক্ত, যা একটি শক্তিশালী ও কঠিন ৩-মাত্রিক নেটওয়ার্ক তৈরি করে। এই বিন্যাস ডায়মন্ডকে চরম কঠিন, উচ্চ গলনবিন্দু এবং স্বচ্ছতা প্রদান করে। কিউবিক ল্যাটিস সমস্ত দিকে সমান বন্ডিং নিশ্চিত করে, যার ফলে ডায়মন্ড সবচেয়ে কঠিন পদার্থগুলির একটি।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

৩২.
Which of the following characteristics is not typical of semiconductors used in electronic devices? (নিম্নলিখিত কোন বৈশিষ্ট্যটি ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহৃত সেমিকন্ডাক্টরের জন্য স্বাভাবিক নয়?)
  1. They excite electrons (এগুলি ইলেকট্রন উত্তেজিত করে)
  2. They don’t emit light (এগুলি আলো নিঃসরণ করে না)
  3. They have variable electrical conductivity (এগুলির বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা পরিবর্তনশীল)
  4. They have high thermal conductivity (এগুলির উচ্চ তাপ পরিবাহিতা আছে)
ব্যাখ্যা

Semiconductors used in electronics typically have moderate electrical conductivity that can be controlled or varied by doping, temperature, or applied voltage. They can excite electrons and may emit light in certain devices (like LEDs). However, they generally have low to moderate thermal conductivity, unlike metals, which are good heat conductors. High thermal conductivity is not a typical property of semiconductors.

(ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহৃত সেমিকন্ডাক্টরের বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা সাধারণত মধ্যম এবং এটি ডোপিং, তাপমাত্রা বা প্রয়োগিত ভোল্টেজের মাধ্যমে নিয়ন্ত্রিত বা পরিবর্তনযোগ্য। এগুলি ইলেকট্রন উত্তেজিত করতে পারে এবং কিছু ডিভাইসে (যেমন LED) আলো নিঃসরণ করতে পারে। তবে, সাধারণত সেমিকন্ডাক্টরের তাপ পরিবাহিতা কম থেকে মধ্যম হয়, যা ধাতুর মতো ভালো তাপ পরিবাহক নয়। উচ্চ তাপ পরিবাহিতা সেমিকন্ডাক্টরের স্বাভাবিক বৈশিষ্ট্য নয়।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

৩৩.
Which of the following methods is not used to generate electron-hole pairs in electronic devices? (নিম্নলিখিত কোন পদ্ধতি ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ইলেকট্রন-হোল যুগল তৈরির জন্য ব্যবহৃত হয় না?)
  1. Thermal excitation (তাপীয় উত্তেজনা)
  2. Impact ionization (প্রভাব আয়নায়ন)
  3. Photo excitation (ফটো উত্তেজনা)
  4. Impurity injection (অশুদ্ধি/ইম্পিউরিটি ইনজেকশন)
ব্যাখ্যা

Electron-hole pairs in semiconductors can be generated by thermal excitation (electrons gain enough thermal energy to jump from the valence band to the conduction band), impact ionization (high-energy carriers generate additional pairs), and photo excitation (photons excite electrons across the bandgap). Impurity injection does not directly generate electron-hole pairs; it modifies the conductivity by adding donor or acceptor atoms.

(সেমিকন্ডাক্টরে ইলেকট্রন-হোল যুগল তাপীয় উত্তেজনা (ইলেকট্রন যথেষ্ট তাপীয় শক্তি পেয়ে ভ্যালেন্স ব্যান্ড থেকে কনডাকশন ব্যান্ডে যায়), প্রভাব আয়নায়ন (উচ্চ-শক্তি বহনকারী অতিরিক্ত যুগল তৈরি করে), এবং ফটো উত্তেজনা (ফোটন ইলেকট্রনকে ব্যান্ডগ্যাপ পার করায়) দ্বারা তৈরি করা যায়। ইম্পিউরিটি ইনজেকশন সরাসরি ইলেকট্রন-হোল যুগল তৈরি করে না; এটি শুধুমাত্র ডোনর বা অ্যাকসেপ্টর পরমাণু যোগ করে পরিবাহিতা পরিবর্তন করে।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

৩৪.
What is the Fermi level in a solid material? (একটি কঠিন পদার্থে ফার্মি লেভেল কী?)
  1. The average energy level of electrons at absolute zero temperature (শূন্য তাপমাত্রায় ইলেকট্রনের গড় শক্তি লেভেল)
  2. The highest energy level in the conduction band (কন্ডাকশন ব্যান্ডের সর্বোচ্চ শক্তি লেভেল)
  3. The energy level separating filled electron states from empty electron states at 0 Kelvin (0 K-এ পূর্ণ এবং খালি ইলেকট্রন অবস্থার মধ্যে আলাদা লেভেল)
  4. The energy level with the maximum number of electrons (সর্বাধিক সংখ্যক ইলেকট্রনযুক্ত শক্তি লেভেল)
ব্যাখ্যা

(In a solid, the Fermi level represents the energy boundary between occupied and unoccupied electron states at 0 K. Electrons below this level are fully occupied, while states above are empty. It is crucial in determining electrical conductivity, carrier distribution, and electronic properties of metals, semiconductors, and insulators.)

(একটি কঠিন পদার্থে, ফার্মি লেভেল হলো সেই শক্তি লেভেল যা 0 K-এ পূর্ণ এবং খালি ইলেকট্রন অবস্থার মধ্যে বিভাজন তৈরি করে। এর নিচের লেভেলগুলো সম্পূর্ণভাবে পূর্ণ থাকে, এবং এর উপরের লেভেলগুলো খালি থাকে। এটি মেটাল, সেমিকন্ডাক্টর এবং ইনসুলেটরের বৈদ্যুতিক পরিবাহন, চার্জ ক্যারিয়ার বণ্টন এবং ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্য নির্ধারণে গুরুত্বপূর্ণ।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

৩৫.
Which device is commonly used for both modulation and demodulation of signals? (নিম্নলিখিত কোন ডিভাইস সাধারণভাবে সিগন্যালের মডুলেশন ও ডিমডুলেশনের জন্য ব্যবহৃত হয়?)
  1. Multiplexer (মাল্টিপ্লেক্সার)
  2. Serial port (সিরিয়াল পোর্ট)
  3. Modem (মডেম)
  4. Gateway (গেটওয়ে)
ব্যাখ্যা

A modem (modulator-demodulator) converts digital signals from a computer into analog signals for transmission over telephone lines (modulation) and then converts received analog signals back into digital form (demodulation). Multiplexers, serial ports, and gateways serve different purposes, such as combining signals, interfacing, or routing, and do not perform modulation/demodulation.

(মডেম (মডুলেটর-ডিমডুলেটর) কম্পিউটার থেকে ডিজিটাল সিগন্যালকে টেলিফোন লাইনের মাধ্যমে প্রেরণের জন্য অ্যানালগ সিগন্যালেতে রূপান্তর করে (মডুলেশন) এবং প্রাপ্ত অ্যানালগ সিগন্যালকে আবার ডিজিটাল ফর্মে রূপান্তর করে (ডিমডুলেশন)। মাল্টিপ্লেক্সার, সিরিয়াল পোর্ট এবং গেটওয়ে বিভিন্ন কাজের জন্য ব্যবহৃত হয়, যেমন সিগন্যাল সংযুক্ত করা, ইন্টারফেসিং বা রাউটিং, এবং এগুলো মডুলেশন/ডিমডুলেশন করে না।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Electronics Fundamentals – A. Malvino]

৩৬.
Which of the following statements correctly describes the Hall Effect in electronic circuits? (নিম্নলিখিত কোন বিবৃতিটি ইলেকট্রনিক সার্কিটে হল প্রভাবকে সঠিকভাবে বর্ণনা করে?)
  1. Hall voltage is very weak in metals as compared to semiconductors (ধাতুর তুলনায় সেমিকন্ডাক্টরে হল ভোল্টেজ অনেক কম শক্তিশালী)
  2. Hall voltage is directly proportional to the charge density (হল ভোল্টেজ চার্জ ঘনত্বের সঙ্গে সরাসরি সম্পর্কিত)
  3. Hall voltage is inversely proportional to the intensity of the magnetic field (হল ভোল্টেজ চুম্বক ক্ষেত্রের তীব্রতার বিপরীত অনুপাতে)
  4. Intrinsic semiconductor has a positive temperature coefficient of hall constant (অভ্যন্তরীণ সেমিকন্ডাক্টরের হল ধ্রুবকের ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ থাকে)
ব্যাখ্যা

The Hall Effect produces a voltage (Hall voltage) across a conductor or semiconductor when a magnetic field is applied perpendicular to the current. In metals, the high carrier concentration leads to a very small Hall voltage, whereas semiconductors, having much lower carrier density, exhibit a stronger and measurable Hall voltage. The Hall voltage is inversely proportional to the charge density, not directly, and its relationship with magnetic field is direct, not inverse.

(হল প্রভাব ঘটায় একটি ভোল্টেজ (হল ভোল্টেজ) একটি কন্ডাক্টর বা সেমিকন্ডাক্টরের উপর যখন চুম্বকীয় ক্ষেত্রকে ধারাবাহিক প্রবাহের লম্বভাবে প্রয়োগ করা হয়। ধাতুতে, উচ্চ চার্জ বাহকের ঘনত্বের কারণে হল ভোল্টেজ খুবই ক্ষুদ্র হয়, যেখানে সেমিকন্ডাক্টরে, কম ঘনত্বের কারণে, এটি শক্তিশালী এবং পরিমাপযোগ্য হয়। হল ভোল্টেজ চার্জ ঘনত্বের বিপরীত অনুপাতে থাকে, সরাসরি নয়, এবং চুম্বকীয় ক্ষেত্রের সঙ্গে সম্পর্ক সরাসরি, বিপরীত নয়।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

৩৭.
Which type of semiconductor is typically employed in LED electronic circuits? (LED ইলেকট্রনিক সার্কিটে সাধারণত কোন ধরনের সেমিকন্ডাক্টর ব্যবহার করা হয়?)
  1. Intrinsic semiconductor (অভ্যন্তরীণ সেমিকন্ডাক্টর)
  2. Compound semiconductor (যৌগিক সেমিকন্ডাক্টর)
  3. Degenerated semiconductor (ডিগ্রেডেড সেমিকন্ডাক্টর)
  4. Compensated semiconductor (প্রতিপূরক সেমিকন্ডাক্টর)
ব্যাখ্যা

LEDs (Light Emitting Diodes) use compound semiconductors, typically made from elements of groups III and V (like GaAs, GaP, or GaN). Compound semiconductors have direct bandgaps, allowing efficient recombination of electrons and holes with emission of photons, which is necessary for producing light. Intrinsic or simple elemental semiconductors cannot efficiently emit light.

(LED-এ (লাইট এমিটিং ডায়োড) যৌগিক সেমিকন্ডাক্টর ব্যবহার করা হয়, সাধারণত III এবং V গ্রুপের উপাদান থেকে তৈরি (যেমন GaAs, GaP, বা GaN)। যৌগিক সেমিকন্ডাক্টরের সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ থাকে, যা ইলেকট্রন ও হোলের পুনর্মিলনকে দক্ষভাবে ঘটায় এবং ফোটন নিঃসরণের মাধ্যমে আলো উৎপন্ন করে। অভ্যন্তরীণ বা সাধারণ মৌলিক সেমিকন্ডাক্টর দক্ষভাবে আলো নিঃসরণ করতে পারে না।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]

৩৮.
What is the difference between an insulator and a semiconductor in terms of their band gap? (ব্যান্ড গ্যাপের দিক থেকে ইনসুলেটর এবং সেমিকন্ডাক্টরের মধ্যে পার্থক্য কী?)
  1. Insulators have a smaller band gap than semiconductors (ইনসুলেটরের ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরের চেয়ে ছোট)
  2. Insulators and semiconductors have the same band gap (ইনসুলেটর ও সেমিকন্ডাক্টরের ব্যান্ড গ্যাপ সমান)
  3. Insulators have a larger band gap than semiconductors (ইনসুলেটরের ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরের চেয়ে বড়)
  4. Insulators have a variable band gap, while semiconductors have a fixed band gap (ইনসুলেটরের ব্যান্ড গ্যাপ পরিবর্তনশীল, সেমিকন্ডাক্টরের নির্দিষ্ট)
ব্যাখ্যা

(Insulators have a large band gap, typically > 5 eV, which prevents electrons in the valence band from moving to the conduction band, making them poor conductors. Semiconductors have a smaller band gap (≈ 1–2 eV), allowing thermal or optical excitation of electrons to the conduction band, enabling controlled conductivity.)

(ইনসুলেটরের ব্যান্ড গ্যাপ বড়, সাধারণত > 5 ইভি, যা ভ্যালেন্স ব্যান্ডের ইলেকট্রনকে কন্ডাকশন ব্যান্ডে যাওয়া থেকে বাধা দেয়, তাই এগুলো খারাপ পরিবাহক। সেমিকন্ডাক্টরের ব্যান্ড গ্যাপ ছোট (প্রায় 1–2 ইভি), যা তাপীয় বা অপটিক্যাল উত্তেজনার মাধ্যমে ইলেকট্রনকে কন্ডাকশন ব্যান্ডে নিয়ে যেতে দেয়, ফলে নিয়ন্ত্রিত পরিবাহন সম্ভব হয়।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

৩৯.
What does the abbreviation SCR stand for? (SCR-এর পূর্ণ রূপ কী?)
  1. Silicate controlled rectifier
  2. Silicon controlled rectification
  3. Silicon controlled rectifier
  4. Silicate controlling rectification 
ব্যাখ্যা

An SCR is a type of semiconductor device used to control high power in AC and DC circuits. It acts as a switch that can turn on when a small gate current is applied, allowing current to flow from anode to cathode. The name “Silicon Controlled Rectifier” indicates that it is made of silicon and its conduction is controlled electronically.

(SCR হলো একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা AC এবং DC সার্কিটে উচ্চ শক্তি নিয়ন্ত্রণের জন্য ব্যবহৃত হয়। এটি একটি সুইচের মতো কাজ করে যা একটি ছোট গেট কারেন্ট প্রয়োগ করলে চালু হয় এবং এনোড থেকে ক্যাথোড পর্যন্ত কারেন্ট প্রবাহিত হতে দেয়। “Silicon Controlled Rectifier” নামটি নির্দেশ করে যে এটি সিলিকন দিয়ে তৈরি এবং এর পরিবাহিতা ইলেকট্রনিকভাবে নিয়ন্ত্রিত হয়।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Electronics Fundamentals – A. Malvino]

৪০.
Which of the following is a type of crystal defect commonly found in solid-state materials? (কঠিন পদার্থে সাধারণত পাওয়া যায় এমন ক্রিস্টাল ত্রুটির ধরন কোনটি?)
  1. Pauli exclusion principle (পালির বর্জন নীতি)
  2. Frenkel defect (ফ্রেনকেল ত্রুটি)
  3. Ionic bond (আয়নিক বন্ধন)
  4. Van der Waals force (ভ্যান ডার ওয়াল ফোর্স)
ব্যাখ্যা

(In solid materials, a Frenkel defect occurs when an ion is displaced from its lattice site to an interstitial position, creating a vacancy and an interstitial defect simultaneously. These point defects affect electrical, optical, and mechanical properties of solids. Frenkel defects are more common in ionic crystals where the cation is much smaller than the anion.)

(কঠিন পদার্থে, একটি ফ্রেনকেল ত্রুটি ঘটে যখন একটি আয়ন ল্যাটিস সাইট থেকে ইন্টারস্টিশিয়াল অবস্থায় স্থানান্তরিত হয়, যা এক সাথে একটি ভ্যাকান্সি এবং ইন্টারস্টিশিয়াল ত্রুটি সৃষ্টি করে। এই পয়েন্ট ত্রুটিগুলি কঠিনের বিদ্যুত, অপটিক্যাল, এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যগুলিকে প্রভাবিত করে। ফ্রেনকেল ত্রুটি সাধারণত আয়নিক ক্রিস্টাল-এ বেশি দেখা যায়, যেখানে ক্যাথিয়ন আয়ন আয়নের চেয়ে অনেক ছোট।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

৪১.
Which type of diode is commonly employed in ultra-high-speed switching electronic circuits? (নিম্নলিখিত কোন ধরনের ডায়োড আল্ট্রা-হাই স্পিড সুইচিং ইলেকট্রনিক সার্কিটে সাধারণভাবে ব্যবহৃত হয়?)
  1. Zener diode (জেনার ডায়োড)
  2. Varactor diode (ভ্যারাক্টর ডায়োড)
  3. Tunnel diode (টানেল ডায়োড)
  4. Schottky diode (শটকি ডায়োড)
ব্যাখ্যা

Schottky diodes are widely used in ultra-high-speed switching applications due to their very low forward voltage drop and extremely fast switching capabilities. Unlike regular PN junction diodes, Schottky diodes have a metal-semiconductor junction which allows carriers to move quickly, minimizing storage time and improving switching speed. Other diodes like Zener, Varactor, or Tunnel diodes are not optimized for ultra-fast switching.

(শটকি ডায়োডগুলো আল্ট্রা-হাই স্পিড সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত হয় তাদের খুবই কম ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ এবং অত্যন্ত দ্রুত সুইচিং ক্ষমতার কারণে। সাধারণ PN জংশন ডায়োডের পরিবর্তে, শটকি ডায়োডে একটি ধাতু-সেমিকন্ডাক্টর জংশন থাকে, যা ক্যারিয়ারদের দ্রুত চলাচল করতে দেয়, স্টোরেজ সময় কমায় এবং সুইচিং গতি বাড়ায়। জেনার, ভ্যারাক্টর বা টানেল ডায়োডগুলো আল্ট্রা-ফাস্ট সুইচিংয়ের জন্য উপযুক্ত নয়।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Electronics Fundamentals – A. Malvino]

৪২.
What is the primary purpose of the pulse in a pulse RADAR system? (পালস রাডারে পালসের মূল উদ্দেশ্য কী?)
  1. Provide continuous wave for detection (সনাক্তকরণের জন্য ধারাবাহিক তরঙ্গ সরবরাহ করা)
  2. Measure the distance of the target (টার্গেটের দূরত্ব পরিমাপ করা)
  3. Increase the frequency of transmission (ট্রান্সমিশনের ফ্রিকোয়েন্সি বৃদ্ধি করা)
  4. Amplify the signal (সিগন্যাল এমপ্লিফাই করা)
ব্যাখ্যা

In pulse RADAR, short-duration pulses are transmitted, and the time delay between transmission and reception of the echo is measured. This time delay is directly proportional to the distance of the target. The pulsed operation allows accurate range measurement while maintaining high peak power without continuous transmission.

(পালস রাডারে, স্বল্প সময়ের পালস প্রেরণ করা হয় এবং ইকো সিগন্যাল প্রাপ্তির সময় বিলম্ব পরিমাপ করা হয়। এই সময় বিলম্ব সরাসরি টার্গেটের দূরত্বের সঙ্গে সম্পর্কিত। পালস অপারেশন উচ্চ শীর্ষ শক্তি বজায় রেখে সঠিক রেঞ্জ পরিমাপের সুযোগ দেয়, ধারাবাহিক সম্প্রচার ছাড়াই।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Radar Principles – M. Skolnik]

৪৩.
A crystal structure is formed by associating a basis with every point of a: (প্রতিটি বিন্দুর সাথে একটি বেসিস যুক্ত করে ক্রিস্টাল কাঠামো তৈরি হয়:)
  1. Unit cell (একক কোষ)
  2. Bravais lattice (ব্রাভিস ল্যাটিস)
  3. Crystal system (ক্রিস্টাল সিস্টেম)
  4. Reciprocal lattice (রিসিপ্রোক্যাল ল্যাটিস)
ব্যাখ্যা

(In crystallography, a Bravais lattice is a set of points in space arranged in such a way that each point has an identical environment. By associating a basis (a group of atoms) with each lattice point, a complete crystal structure is formed. This concept is fundamental to understanding periodicity, symmetry, and crystal classification.)

(ক্রিস্টালোগ্রাফিতে, একটি ব্রাভিস ল্যাটিস হলো এমন একটি বিন্দুর সেট যা এমনভাবে স্থানান্তরিত থাকে যে প্রতিটি বিন্দুর পরিবেশ একই থাকে। প্রতিটি ল্যাটিস বিন্দুর সাথে একটি বেসিস (আয়নের একটি গ্রুপ) যুক্ত করে সম্পূর্ণ ক্রিস্টাল কাঠামো তৈরি হয়। এই ধারণা পিরিয়ডিসিটি, সিমেট্রি, এবং ক্রিস্টাল শ্রেণীবিন্যাস বোঝার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

৪৪.
In which operating region does a BJT function as an OFF switch in electronic circuits? (নিম্নলিখিত কোন অপারেটিং অঞ্চলে একটি BJT ইলেকট্রনিক সার্কিটে বন্ধ (OFF) সুইচ হিসেবে কাজ করে?)
  1. Saturation (স্যাচুরেশন)
  2. Active (অ্যাক্টিভ)
  3. Cut-off (কাট-অফ)
  4. Reverse saturation (রিভার্স স্যাচুরেশন)
ব্যাখ্যা

A BJT operates as an OFF switch when it is in the cut-off region. In this state, both the base-emitter and base-collector junctions are reverse biased, preventing any significant current flow from collector to emitter. This effectively turns the transistor “off,” making it act as an open circuit. Saturation and active regions are used for switching “ON” or amplification, not for turning the transistor off.

(BJT কাট-অফ অঞ্চলে থাকলে এটি OFF সুইচের মতো কাজ করে। এই অবস্থায়, বেস-এমিটার এবং বেস-কলেক্টর জংশন উভয়ই রিভার্স বায়াসড থাকে, ফলে কলেক্টর থেকে এমিটারে গুরুত্বপূর্ণ কারেন্ট প্রবাহ ঘটে না। এটি কার্যকরভাবে ট্রানজিস্টরকে “বন্ধ” করে দেয়, যার ফলে এটি একটি ওপেন সার্কিটের মতো আচরণ করে। স্যাচুরেশন এবং অ্যাক্টিভ অঞ্চল ট্রানজিস্টরকে “ON” সুইচ বা অ্যাম্প্লিফায়ার হিসেবে ব্যবহার করার জন্য, OFF করার জন্য নয়।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Electronics Fundamentals – A. Malvino]

৪৫.
In a hexagonal crystal system, how many Bravais lattices are there? (হেক্সাগোনাল ক্রিস্টাল সিস্টেমে কতটি ব্রাভিস ল্যাটিস আছে?)
  1. 2
  2. 1
  3. 3
  4. 4
ব্যাখ্যা

(In the hexagonal crystal system, there is only one Bravais lattice, called the hexagonal lattice. This lattice is characterized by two equal axes at 120° in the basal plane and a third axis perpendicular to them. It forms the basis for hexagonal close-packed (HCP) structures found in metals like magnesium and zinc.)

(হেক্সাগোনাল ক্রিস্টাল সিস্টেমে কেবল একটি ব্রাভিস ল্যাটিস আছে, যা হেক্সাগোনাল ল্যাটিস নামে পরিচিত। এই ল্যাটিসটি বৈশিষ্ট্যযুক্ত যে ভিত্তি সমতলে দুটি সমান অক্ষ ১২০° কোণে এবং একটি তৃতীয় অক্ষ তাদের লম্বভাবে। এটি ম্যাগনেসিয়াম ও জিঙ্কের মতো ধাতুতে পাওয়া হেক্সাগোনাল ক্লোজ-প্যাকড (HCP) কাঠামোর ভিত্তি তৈরি করে।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

৪৬.
Which type of semiconductor device is commonly used in barcode readers? (বারকোড রিডারে সাধারণভাবে কোন ধরনের সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস ব্যবহৃত হয়?)
  1. Junction diode (জংশন ডায়োড)
  2. Laser diode (লেজার ডায়োড)
  3. Zener diode (জেনার ডায়োড)
  4. Varactor diode (ভ্যারাক্টর ডায়োড)
ব্যাখ্যা

Barcode readers use laser diodes to emit a focused beam of light that scans the barcode. The laser light reflects off the barcode’s black and white patterns, and a photodetector captures the reflected light to decode the information. Other diodes like junction, Zener, or varactor are not suitable for emitting the coherent and intense light required in barcode scanning.

(বারকোড রিডারে লেজার ডায়োড ব্যবহৃত হয় একটি কেন্দ্রিত আলো বের করার জন্য যা বারকোড স্ক্যান করে। লেজার আলো বারকোডের কালো এবং সাদা প্যাটার্ন থেকে প্রতিফলিত হয়, এবং একটি ফটডিটেক্টর প্রতিফলিত আলো গ্রহণ করে তথ্য ডিকোড করে। জংশন, জেনার বা ভ্যারাক্টর ডায়োড এই ধরনের সমন্বিত এবং তীব্র আলো উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত নয় যা বারকোড স্ক্যানিংয়ে প্রয়োজন।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Electronics Fundamentals – A. Malvino]

৪৭.
The (220) reflection is observed for a cubic crystal. Which of the following structures could it NOT be? (একটি কিউবিক ক্রিস্টালের জন্য (220) প্রতিফলন দেখা যায়। নিচের কোন কাঠামোটি এটি হতে পারে না?)
  1. Face-Centered Cubic (FCC) (ফেস-সেন্টারড কিউবিক)
  2. Body-Centered Cubic (BCC) (বডি-সেন্টারড কিউবিক)
  3. Simple Cubic (SC) (সিম্পল কিউবিক)
  4. It could be any of them (এটি যেকোনো কাঠামো হতে পারে)
ব্যাখ্যা

(In a simple cubic (SC) lattice, the structure factor allows reflections only when h, k, l are all either all even or all odd. The (220) reflection satisfies this condition, but for SC, the intensity is extremely weak or forbidden due to lattice point arrangement. In contrast, BCC and FCC have specific rules for allowed reflections, and (220) is allowed for FCC but forbidden for BCC. Hence, SC is the one that typically cannot show a strong (220) reflection.)

(একটি সিম্পল কিউবিক (SC) ল্যাটিসে, স্ট্রাকচার ফ্যাক্টর এমনভাবে কাজ করে যে প্রতিফলন ঘটে যখন h, k, l সব সমানভাবে জোড় বা বেজোড়। (220) প্রতিফলন এই শর্ত পূরণ করে, তবে SC-তে ল্যাটিস পয়েন্টের বিন্যাসের কারণে তীব্রতা খুব কম বা অনুমোদিত নয়। বিপরীতে, BCC এবং FCC-এর জন্য নির্দিষ্ট নিয়ম রয়েছে, এবং (220) FCC-এ অনুমোদিত কিন্তু BCC-এ অনুমোদিত নয়। তাই SC সাধারণত শক্তিশালী (220) প্রতিফলন দেখাতে পারে না।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

৪৮.
In a RADAR system, what does the beam width primarily determine? (রাডার সিস্টেমে বিম প্রস্থ মূলত কী নির্ধারণ করে?)
  1. Range accuracy (রেঞ্জ নির্ভুলতা)
  2. Angular resolution (কোণীয় রেজোলিউশন)
  3. Pulse duration (পালসের দৈর্ঘ্য)
  4. Frequency stability (ফ্রিকোয়েন্সি স্থিতিশীলতা)
ব্যাখ্যা

The beam width of a RADAR antenna determines its angular resolution, which is the ability to distinguish between two closely spaced targets in angle. A narrower beam width results in better angular resolution, allowing the RADAR to separate targets that are close together in direction. Range accuracy is determined by pulse duration, not beam width.

(রাডার অ্যান্টেনার বিম প্রস্থ কোণীয় রেজোলিউশন নির্ধারণ করে, অর্থাৎ দুইটি কাছাকাছি অবস্থানের টার্গেটকে আলাদা করার ক্ষমতা। কম বিম প্রস্থ হলে কোণীয় রেজোলিউশন উন্নত হয়, যা রাডারকে দিক অনুযায়ী কাছাকাছি টার্গেট আলাদা করতে সাহায্য করে। রেঞ্জ নির্ভুলতা পালস দৈর্ঘ্য দ্বারা নির্ধারিত হয়, বিম প্রস্থ দ্বারা নয়।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Radar Principles – M. Skolnik]

৪৯.
At a temperature T > 0 K, the Fermi-Dirac distribution function f(E) has a value of exactly 1/2 at what energy? (T > 0 K তাপমাত্রায়, ফার্মি-ডির‌্যাক বিতরণ ফাংশন f(E) ঠিক 1/2 মান পায় কোন শক্তিতে?)
  1. E = kT
  2. E = 0
  3. E = EF
  4. E = infinity
ব্যাখ্যা

(At any temperature above 0 K, the Fermi-Dirac distribution f(E) = 1 / [1 + exp((E – EF)/kT)]. At E = EF, the exponential term becomes exp(0) = 1, so f(E) = 1 / (1 + 1) = 1/2. This indicates that at the Fermi energy, there is a 50% probability that an electron state is occupied.)

(T > 0 K তাপমাত্রায়, ফার্মি-ডির্যাক বিতরণ হলো f(E) = 1 / [1 + exp((E – EF)/kT)]। E = EF-এ, সূচকীয় পদটি হয় exp(0) = 1, তাই f(E) = 1 / (1 + 1) = 1/2। এটি নির্দেশ করে যে ফার্মি এনার্জিতে, একটি ইলেকট্রন অবস্থার 50% সম্ভাবনা থাকে যে এটি পূর্ণ আছে।)

[Source: Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel]

৫০.
Which characteristic defines Type-II superconductors? (টাইপ-II সুপারকন্ডাক্টরকে কোন বৈশিষ্ট্য দ্বারা চিহ্নিত করা হয়?)
  1. Complete Meissner effect at all fields (সমস্ত ক্ষেত্রেই সম্পূর্ণ মেইসনার প্রভাব)
  2. Two critical magnetic fields, between which they allow partial penetration of magnetic flux (দুটি সমালোচনামূলক চুম্বক ক্ষেত্র থাকে, যার মধ্যে আংশিক চুম্বকীয় প্রবাহ প্রবেশ করতে পারে)
  3. Only one critical field (শুধুমাত্র একটি সমালোচনামূলক ক্ষেত্র)
  4. Zero critical temperature (শূন্য সমালোচনামূলক তাপমাত্রা)
ব্যাখ্যা

Type-Il superconductors have two critical magnetic fields, He1 and He2. Below He1, they exhibit the full Meissner effect, completely expelling magnetic fields. Between He1 and He2, they allow partial penetration of magnetic flux through quantized vortices while still maintaining superconductivity. Above He2. superconductivity is destroyed. Type-l superconductors, in contrast, have only one critical field.

(টাইপ-।। সুপারকন্ডাক্টরের দুটি সমালোচনামূলক চুম্বক ক্ষেত্র থাকে, He1 এবং He2. He1-এর নিচে তারা সম্পূর্ণ মেইসনার প্রভাব প্রদর্শন করে, চুম্বকীয় ক্ষেত্র সম্পূর্ণভাবে বহিষ্কার করে। He1 এবং He2-এর মধ্যে তারা চুম্বকীয় প্রবাহকে কোয়ান্টাইজড ভাইরাসের মাধ্যমে আংশিকভাবে প্রবেশ করতে দেয় এবং তবুও সুপারকন্ডাক্টিভিটি বজায় থাকে। He2-এর উপরে সুপারকন্ডাক্টিভিটি ধ্বংস হয়ে যায়। টাইপ-। সুপারকন্ডাক্টরের ক্ষেত্রে শুধুমাত্র একটি সমালোচনামূলক ক্ষেত্র থাকে।)

[Source: Nuclear Physics – S. N. Ghoshal; Solid State Physics – C. Kittel]